Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Повідомлено про підвищення ефективності екситонної люмінесценції квантових точок CdSSe, синтезованих у боросилікатній скляній матриці, й оброблених після цього в низькотемпературній високочастотній водневій плазмі. Одержані результати свідчать про зменшення кількості поверхневих рівнів, через які відбувається ефективна безвипромінювальна рекомбінація носіїв заряду.

Відзначено, що інтенсивну антистоксову фотолюмінесценцію спостережено за низьких температур у структурах CdSe/ZnSe з одиночною вставкою CdSe номінальної товщини 1,5 моношару. Залежність інтенсивності антистоксової фотолюмінесценції квантових точок CdSe від густини збуджуючого випромінювання була близькою до квадратичної. Механізм антистоксової фотолюмінесценції пояснено на основі нелінійного двоступінчатого двофотонного процесу через глибокі дефектні стани, які містять катіонні вакансії та локалізовані в околі квантових точок. Поява антистоксової фотолюмінесценції свідчить про вплив оточення на властивості квантових точок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.331

Рубрики:

Фонони

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К204.3 + В379.22в734.4

Рубрики:

Структурні та фазові перетворення в металах і сплавах. Теорія термічної обробки

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.273.4

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Феримагнетизм. Ферити

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The simultaneous measurement of Raman and fluorescence signals was proposed to find out the molecule-metal distance. The ratio between Raman and fluorescence intensities was used to estimate molecule-metal distance in nanometer scale. A low-value intensity of the fluorescence of the dye molecules was found using the photobleaching effect. Made was a comparison of experimental results with a theoretical model, which showed well agreement.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247 + В379.227 + З86-53-01

Рубрики:

Спектроскопія напівпровідників

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Gold nanoclusters were obtained by co-deposition of and polytetrafluoroethylene (PTFE) in vacuum with various gold concentrations. The films deposited were undergone to heating at various temperatures in air. Transformation of ensemble morphology after heating was studied using atomic force microscope (AFM). Raman scattering spectra of an ultra-thin film of Rhodamine 6G deposited onto substrates with gold nano-clusters of different morphology were recorded. The best substrate gave strong amplification of the Raman scattering signal from Rhodamine 6G film. Therefore, produced Au nano-clusters are suitable for surface enhanced Raman scattering spectroscopy of nano-quantities of material.

This paper considers a synthesis of graphene flakes on the Ni surface by vacuum long and nitrogen rapid thermal treatment of the "sandwich" amorphous (a) SiC/Ni multilayer deposited on silicon wafer by magnetron sputtering technique. The lateral size of graphene flakes was estimated to be about hundreds of micrometers while the thickness estimated using Raman scattering varied from one to few layers in case of vacuum annealing. Rapid thermal annealing in nitrogen ambient results in formation of multilayer graphene with surface covering up to 80 %. The graphene layers synthesized on Ni during CVD process was used as reference samples. Atomic force microscopy is not able to detect graphene flakes in regime of surface topology examination because of large roughness of Ni surface. Employment of scanning Kelvin probe force microscopy (SKPFM) demonstrates correlation of the surface potential and graphene flakes visible in optical microscopy. Using the KPFM method, potential differences between Ni and graphene were determined.

Індекс рубрикатора НБУВ: К390.1-1

Рубрики:

Виробництво металевих порошків

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.226 + В379.271

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.247

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

A simple method for production of weakly coupled graphene layers by high-temperature sublimation of polycrystalline SiC is presented. The method allows manufacturing carbon-based composite with a high content of weakly coupled graphene layers in large-scale production. The study of the obtained carbon-based material by means of scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and atomic force microscopy detected graphene plates with lateral size of up to tens of micrometers. The obtained graphene sheets are shown to have very high crystal perfection, low concentration of defects and weak interlayer coupling, which depends on the growth conditions. The proposed method of producing graphene-based composites is supposed to be very promising due to its relative simplicity and high output.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372

Рубрики:

Структура твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж42080 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.24

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Nanocomposite porous fdms with silver nanoparticle (Ag NP) arrays were prepared by the pulsed laser deposition from the back flux of erosion torch particles in argon atmosphere on the substrate placed at the target plane. Preparation conditions of the films were set by argon pressure, energy density of laser pulses, their amount and substrate position relatively to the torch axis. The films were prepared with gradient thickness, variable Ag NP sizes and distance between them along the length of substrate as well as corresponding maxima in the spectra of local surface plasmon absorption. Plasmon effects of the Raman scattering enhance in the matter of the Ag NP shell gave the opportunity to register the spectral bands caused by an extremely small quantity of silver compounds with oxygen and carbon. The possible nature of individual bands in the Raman spectrum was analyzed. The obtained results are important for interpretation of the Raman spectra of analytes based on the prepared SERS substrates.

Vibrational density of states of 12,5 % cobalt doped bulk hexagonal ZnO has been studied using the density functional theory method. It has been shown that introduction of cobalt into ZnO leads to appearance of additional vibrational modes with their frequencies dependent on the relative positions of cobalt atoms. The magnetic and vibrational properties have been studied in highly Co-doped ZnO samples that are characterized by a high possibility of metal clusters formation.

The effect of self-heating on the transport characteristics and electronic properties of transistor AlGaN/GaN heterostructures was investigated. The electrical, micro-Raman and photoluminescence techniques were used for temperature estimations for transistor structures under electrical load. The thermal resistance of these structures has been calculated to obtain the temperature of conducting channel heating from the current-voltage characteristics. The differences in the obtained temperature data from applied techniques have been analyzed.

Проаналізовано спектри комбінаційного розсіяння світла (мікро-КРС) одностінних вуглецевих нанотрубок (ВНТ), кристалічного графіту (КГ), одно- (ОШГ) і двошарового (ДШГ) графенів. Встановлено структури давидівських мультиплетів в енергетичних спектрах електронних станів ОШГ та ДШГ і КГ. Показано, що енергетичний спектр коливних та електронних станів ВНТ і КГ можна описати дисперсійними кривими, які попарно об'єднуються в точках А зон Бріллюена цих структур. Аналітично розраховано форми коливань у стаціонарних пружних хвилях для одностінних нанотрубок в точках GAMMA і А їх зон Бріллюена та для ОШГ та ДШГ і КГ в точках GAMMA, К і М відповідних їм зон Бріллюена.